​中国的芯片制造又一重大突破 揭秘中国光刻机技术的最新进展

中国的芯片制造又一重大突破 揭秘中国光刻机技术的最新进展

最近，华为Mate 60的发布让全世界看到了中国即使面对欧美的芯片封锁，但是依旧顽强的在前进，而让Mate 60这么备受关注的原因，自然就是其中所搭载的麒麟芯片。

要知道，海思从2021年开始芯片库存就见底了，华为也因为“无芯可用”所以在手机发展上一直没有新的消息出现，这一次突然上市的Mate 60竟然搭载着海思麒麟的芯片，而且表现还不俗，这自然让所有人都不敢相信。

因此，这块麒麟芯片也是被国内外的各个机构进行拆解，大家想知道的到底这是华为最后的库存，还是这是华为的迈出的全新的一步。

当然，对于这块芯片的猜测已经有很多了，我就不再多说，华为的这块麒麟芯片使用的自然还是DUV技术，只是在架构设计上确实有所创新，让它能够表现出超越同级别的性能，但是要真正的突破芯片技术的封锁，关键还是在于EUV。

而在雄安，一个和EUV息息相关的工厂正在建设当中！

可能对EUV技术有所了解的朋友都知道，其实EUV（Extreme Ultra Violet）就是极紫外线，光刻机中大部分的机械结构方面中国要突破不是难事，最难的就是用于光刻中最关键的这个极紫外线，而其中有包含了要过滤出极紫外线所需要的各种镜面，这些技术大部分都被美国把控。而清华大学在2017年成立了SSMB（Steady-state micro-bunching accelerator light source，稳态微聚束加速器光源）研究团队，目的也就是想要通过另一种方式能够得到稳定高功率的极紫外线。

经过了5年时间，在2012年，清华大学的唐传祥教授在《物理学报》中发表了最新的论文，讲述了关于SSMB这项技术的成果。

5年时间的努力，SSMB-EUV光源方案已经不仅仅只是停留在纸面上的理论，它已经成功在德国亥姆霍兹柏林中心的加速器储存环上进行了验证，光源功率已经超过了10kW，是ASML即将推出的2纳米光刻机的20倍以上，是一个完全可行的方案。

如果我们要用一个词来形容SSMB-EUV方案的话，那就是大力出奇迹！

对于ASML的EUV光刻机，由于欧美国家的文化、人的个性、社会分工等各个方面的原因，光刻机需要设计成为完整的一体化设备，而且不能太大，这样能够方便运输和组装。

但是SSMB-EUV方案中，是需要建设一个长200米，宽20米的加速器，这完全与ASML的设计思路是相反的，这个加速器一旦建设完成，想要移动几乎是不可能的，而且建设成本相当高，这种方案也只有在中国才能完成。

在一个这样巨大的加速器的加持下，我们没有了体积的限制，原本要求精度相当高的镜片，现在可以降低一些要求了，这样，我们现在的制造水平就可以满足设备的需要，EUV光刻机也就变得可行。

对于清华大学的这个方案，我只能说，天才确实和我们不一样，他们总是能够另辟蹊径，上山的路被堵住了，他们想的不是如何在堵住的路上面突破，而是开山破路，用已有的工具重新造一条路，也许这条路不如原来的好走，但是，它能到达山顶！

当然，科学都是严谨的，我们也需要用理性的眼光看待科学，很多人觉得雄安的SSMB项目只要建成，我们就能够生产超过7nm的芯片，其实并不是。

我们虽然找到了一条属于自己的路，但是这条路肯定荆棘满布，其中的未知也有很多，我们在芯片技术上落后欧美十几年甚至更多这是事实，SSMB技术也有太多太多需要验证的地方，可能我们还需要5年，8年才能到达现在欧美国家的高度，但是这都无所谓，中国已经向世界展示了自己的能力，中国人从来都无惧威胁，不惧挑战！